Солнечные элементы - Марк Михайлович Колтун
Шрифт:
Интервал:
Закладка:
8. Евдокимов В. M., Каган М. Б., Колтун М. M., Черкасский А. X. Солнечные батареи // Итоги науки и техники. M.: ВИНИТИ, 1977. (Сер. Генераторы прямого преобразования тепловой энергии в электрическую; т. 3).
9. Колтун Μ. М. Селективные оптические поверхности преобразователей солнечной энергии. M.: Наука, 1979, 215 с.
10. Колтун Μ, М. Оптика и метрология солнечных элементов. M.: Наука, 1985. 279 с.
И. Раушенбах Г. Справочник по проектированию солнечных батарей: Пер. с англ./Под ред. Μ. М. Колтуна. M.: Энергоатомиздат, 1983. 357 с.
12. Крейнин Л. Б., Григорьева Г. М. Солнечные батареи в условиях воздействия космической радиации // Итоги науки и техники. M.: ВИНИТИ, 1979. (Сер. Исследование космического пространства; т. 13).
13. Далецкий Г. C., Каган М. Б., Колтун М. M., Кузнецов В. М. Разработка солнечных батарей для межпланетных автоматических станций «Венера-9», «Венера-10» п для программы «Луноход» // Гелиотехника. 1979. № 4. С. 3.
14. Болтянский Г. А., Бордина И. M., Далецкий Г. С. и др. Испытание экспериментальной двусторонней солнечной батареи на орбитальной станции «Салют-5» // Космические исследования. 1980. Т. 18, № 5. С. 812–814.
15. Лидоренко H. C., Рябиков С. В., Далецкий Г. С. и др. Измерение освещенности в облачном слое планеты Венера с помощью солнечных батарей // Гелиотехника. 1983. № 2. С. 10–12.
16. Андреев В. M., Каган М. В., Любашевская Т. Л. и др. Сравнение различных моделей гетерофотопреобразователей в системе р-AlxGa1-xAs — n-GaAs с точки зрения достижения максимальной эффективности // Физика и техника полупроводников. 1974. Т. 8, вып. 7. С. 1328–1334.
17. Алферов Ж. И., Андреев В. M., Арипов X. К. и др. Модель автономной солнечной установки с гетерофотоэлементами и концентраторами излучения// Гелиотехника. 1981. № 2. С. 3–6.
18. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы: Пер. с англ./Под ред. Μ. М. Колтуна. M.: Мир, 1986. 370 с.
19. Фаренбрух А., Бъюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент: Пер. с англ./Под ред. Μ. М. Колтуна. M.: Энергоатомиздат, 1987.
20. Грилихес В. А., Орлов Π. П., Попов Л. Б. Солнечная энергия и космические полеты. M.: Наука, 1984. 248 с.
21. Грилихес В. А. Солнечные космические энергостанции. Л.: Наука, 1986. 182 с.
INFO
ББК 31.63
К 61
УДК 629.7.064.56
Колтун Μ. М.
К. 61. Солнечные элементы. — M.: Наука, 1987.—
192 с., ил. — (Серия «Планета Земля и Вселенная»).
Κ 2302010000-412/054(02)-87-51—87НП
Марк Михайлович Колтун
СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Утверждено к печати редколлегией серии
«Научно-популярная литература»
Академии наук СССР
Редактор издательства
A. А. Боровая
Художественный редактор
B. Ю. Кученков
Технический редактор
Т. А. Калинина
Корректоры Н. Б. Габасова, Н. И. Казарина
ИБ № 35363
Сдано в набор 18.06.87
Подписано к печати 29.10.87 Т-20231. Формат 84×1081/32. Бумага книжно-журнальная. Гарнитура обыкновенная новая. Печать высокая.
Усл. печ. л. 10,08. Усл. кр. отт. 10, 4 Уч-изд. л. 11,6.
Тираж 12800 экз. Тип. зак. 792
Цена 45 коп.
Ордена Трудового Красного Знамени издательство «Наука»
117864, ГСП-7, Москва, В-485, Профсоюзная ул., 90
2-я типография издательства «Наука»
121099, Москва, Г-99, Шубинский пер., 6
…………………..
Скан: AAW
Опубликовано группой «Торрент-Книги»
FB2 — mefysto, 2024
Текст на задней обложке
От электронных часов и малогабаритных калькуляторов до межпланетных и орбитальных космических аппаратов, автоматических метеостанций находят применение солнечные элементы. Они преобразуют свет Солнца непосредственно в электроэнергию, бесшумно, не загрязняя окружающую среду. В книге профессора Μ. М. Колтуна описаны свойства, конструкции, методы создания и исследования современных эффективных солнечных элементов и батарей.
Примечания
1
Общепринятое сокращенное обозначение электронно-дырочных переходов, представляющих собой области в кристаллах, где контактируют слои с электронной (n-типа) и дырочной (p-типа) проводимостью. Тип проводимости определяется тем, какие носители — отрицательно или положительно заряженные, электроны или дырки — являются основными в данном образце полупроводника. Изменяется тип проводимости обычно путем соответствующего легирования донорной или акцепторной примесью, причем этот процесс может быть осуществлен локально, для отдельных мест или слоев полупроводниковой пластины, в целом легированной другой примесью.
2
В спектре поглощения в полупроводниках можно наблюдать несколько полос поглощения, характерных для примесей, свободных носителей заряда, колебаний решетки, растворенных газов и включений. Эти полосы располагаются чаще всего в средней и дальней частях инфракрасной области спектра. Основной считается полоса поглощения, появление которой обусловлено передачей части энергии падающего излучения связанным носителям заряда, находящимся около отдельных атомов и энергетически — в валентной зоне, после чего они получают возможность преодолеть запрещенную зону и перейти в зону проводимости, пополнив число свободных носителей заряда. Длинноволновый край основной полосы поглощения, о котором здесь идет речь, обычно определяется минимальным энергетическим значением ширины запрещенной зоны данного полупроводника. Для большинства полупроводниковых материалов, из которых изготовляются солнечные элементы, он лежит в ближней инфракрасной области спектра: при длине волны 1,1 мкм для кремния и при 0,9 мкм для арсенида галлия.
3
После разделения полем p-n-перехода дырки из n-области переходят в p-область, а электроны из p-области оказываются в n-области; те и другие становятся уже при этом основными носителями заряда в соответствующих областях солнечных элементов.
4
Алюминий является для кремния примесью р-типа.
5
Электрическое тянущее поле может быть образовано в отдельных областях солнечного элемента при плавном или резком изменении ширины запрещенной зоны полупроводника, а также путем создания перепада концентрации примеси по глубине; попавшие в такую область носители заряда движутся не только благодаря энергии, переданной им квантами света, подчиняясь законам диффузии, но и за счет энергии окружающего их электростатического поля, которое в этом случае в основном определяет скорость и направление перемещения носителей заряда.
6
Обозначение р+- и п+ — применяется по отношению к слоям, содержащим значительно большую концентрацию легирующей примеси и, следовательно, свободных носителей заряда, чем у обычно применяемых р- и n-областей солнечного элемента.
7
Изотипный переход образуется в полупроводнике одного и того же типа проводимости между слоями с резко отличающимися значениями концентрации одинаковой — донорной или акцепторной — примеси, например между n+-слоем, сильно легированным фосфором, и n-слоем, слабо легированным фосфором.
8
Пленка ITO, названная так по первым буквам английских слов индий — олово — оксид, получается из смеси оксидов олова и индия различными способами.
9
Энергетический спектр протонов и электронов
